Partial Oxidation of Methane to Synthesis Gas Using Supported Ga-Containing Bimetallic Catalysts and a Ti-Promoter. ChemCatChem 2018, 10, 4300–4308.
Fig. 1 SIMS profiles of (A) Ga and (B) Rh for Rh-Ga-Ti-SiO2 before CH4 oxidation. SIMS profiles of (C) Ga and (D) Rh for Rh-Ga-Ti-SiO2 after CH4 oxidation. (E) H2-TPR profiles for TiO2 and Ti-SiO2-supported materials. (F) Percent methane conversion using supported bimetallic catalysts at 300–750 ℃
1、二次离子质谱（Hiden SIMS WorkStation）
主要性能参数：
具有静态SIMS和动态SIMS分析功能；
质量数范围：510amu；
分辨率：5%全质量数范围内的相连高峰间的谷；
检测器：离子计数检测器，正、负离子检测；
动态范围：1:10E7；
仪器灵敏度：1x10 atoms/cm3；
深度分辨率：1-2分子层（静态），3分子层（动态）；
离子枪离子束能量：1-5 KeV；
离子枪离子束流强度：0.1–600nA；
配置样品装载Load-Lock，用于快速装载样品，真空度可达E-8mbar；
配置电子中和枪，用于绝缘样品分析；配置低温液氮冷阱，用于样品分析时，降低真空室背景气体，提高灵敏度；配置氧气溢流，低能量、高深度分辨率的分析中，提高灵敏度、控制和保护样品形貌发展；
彩色CCD，用于样品光学成像，50 mm高分辨率镜头。
二次离子质谱是一种高灵敏度的表面分析技术，可用于表面组成的测定，污染物分析，样品表面深度剖析及样品表面化学成像。HIDEN的SIMS系统提供深度剖面分辨率为5纳米，提供高性能静态和动态SIMS在细节表面的应用成分分析和深度剖析。
1、表面分析
表面的宽质量扫描分析提供了详细的元素和分子组成等与表面组成有关的信息。
2、深度剖析
采用高一次离子密度连续溅射顶部表面层，在溅射过程中获得元素和小团簇的分布，例如氧化物，深度剖析完全表征了薄膜多层结构。
3、表面成像
通过在表面上聚集聚焦离子束，质量获得了解析的二次离子图像。
HIDEN SIMS包括两种成像模式：
低分辨率广域成像；
精细聚焦区域的高分辨率成像；
彩色CCD相机提供光学样品图像。
4、静态SIMS
测量表面溅射出的特定离子，总离子非常少 (~1E12 ions cm-2 )；
理想的污染、氧化、单层涂层研究。
5、动态SIMS
主离子连续不断的打到材料表面，溅射出的离子总量多；
可以做深度剖析；
理想的材料杂质（掺杂）和多层结构研